THÔNG TIN TÓM TẮT VỀ NHỮNG KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN TIẾN SĨ
(Thông tin đưa lên trang Web)
Tên luận án: Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN
Ngành: Vật lý kỹ thuật
Mã số: 9520401
Nghiên cứu sinh: Nguyễn Trung Đô
Người hướng dẫn khoa học:
1. PGS.TS. Nguyễn Ngọc Trung
2. PGS.TS. Nguyễn Hoàng Thoan
Cơ sở đào tạo: Đại học Bách khoa Hà Nội
TÓM TẮT KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN
1. Bằng các phương pháp mô phỏng, luận án đã thu được các kết quả có thể tổng kết lại như sau:
Sử dụng phương pháp mô phỏng nguyên lý ban đầu và mô phỏng động lực học phân tử để nghiên cứu và tối ưu hóa cấu trúc của linh kiện. Các kết quả từ quá trình mô phỏng được ứng dụng vào quá trình chế tạo thử nghiệm.
Đã xây dựng thành công mô hình có độ tin cậy cao để mô hình hóa linh kiện HEMT và MOS-HEMT trên máy tính.
2. Luận án đã xây dựng được quy trình chế tạo và chế tạo thử nghiệm thành công linh kiện GaN HEMT.
3. Đã chế tạo tiếp xúc Ohmic có cấu trúc gồm Ti/Al/Pd/Au và khảo sát độ sâu ăn mòn mục tiêu. Qua đó, đã xác định được điện trở suất tiếp xúc là pc = 1.08 × 10-72cm² với độ sâu ăn mòn là 18.35 nm tại nhiệt độ ủ tối ưu 650°C.
4. Đã chế tạo được màng mỏng ô-xít Al2O3 trên đễ bán dẫn Si và các cấu trúc MOS Au/ALD-HfO2/GaN/In trên đế bán dẫn Si (111) với lớp màng mỏng epitaxy n-GaN dày 200 nm bằng phương pháp ALD và tiến hành khảo sát các đặc trưng điện của linh kiện.
