THÔNG TIN CÁ NHÂN
Tên luận án: Nghiên cứu chế tạo và tính chất của các nano tinh thể bán dẫn cấu trúc nhiều lớp CdSe/ZnSe/ZnS, được chức năng hóa bề mặt nhằm ứng dụng chế tạo cảm biến huỳnh quang xác định một số loại thuốc trừ sâu
Tên chuyên ngành: Vật liệu điện tửừ
Mã số: 62440123
Tên NCS: Nguyễn Ngọc Hải
Ngày sinh: 29/06/1979
Khoá đào tạo: 2009 – 2014
Người hướng dẫn: GS. TS. Đào Trần Cao; PGS. TS. Phạm Thu Nga
Tên cơ sở đào tạo: Viện Khoa học Vật liệu
Các kết quả chính của Luận án
Với nội dung nghiên cứu chế tạo một số loại QD trên cơ sở CdSe, gồm hai hoặc ba thành phần, không và có bọc vỏ, sau đó dùng các QD này để chế tạo các cảm biến và ứng dụng để phát hiện dư lượng một số loại thuốc trừ sâu với lượng siêu vết (cỡ ppm) trong thực tế, một số kết quả chính của Luận án được tóm tắt như sau:
1. Đã chế tạo thành công các QD CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe/ZnS, CdZnSe và CdZnSe/ZnS bằng phương pháp nhiệt phân các tiền chất cơ-kim ở nhiệt độ ~300°C. Các QD này phát quang tốt trong vùng ánh sáng nhìn thấy, từ 540 nm tới 640 nm. Có thể thay đổi chiều dày lớp vỏ ngoài ZnS của lỗi QD.
2. Đã sử dụng các phương pháp vật lý hiện đại như nhiễu xạ tia X, EDS, TEM đề nhận dạng pha tỉnh thể, thành phần, hình dạng, kích thước của các QD chế tạo được. Các QD chế tạo được có lõi đơn pha tỉnh thể lục giác w-CdSe, khi bọc vỏ ngoài thì giản đồ nhiễu xạ tia X thể hiện pha tinh thể lục giác (w) của lớp vỏ ZnS.
3. Các tính chất quang như phổ hấp thụ, phát xạ của các mẫu QD đã được khảo sát, cho phép xác định và nghiên cứu dịch chuyển exciton cơ bản 15e-15a32 thay đổi theo kích thước trong các QD. Hiệu suất lượng tử của một số mẫu đã được đo đạc nhằm đánh giá hiệu quả của phương pháp chế tạo.
Trong cấu trúc CdSe/ZnSe/ZnS, lớp đệm ZnSe và lớp vỏ ZnS không làm thay đổi phổ phát quang của QD lõi CdSe. Hai lớp vỏ này bảo vệ sự tái hợp phát xạ của cặp e-h trong QD, làm giảm các trạng thái bẫy e trên bề mặt QD, và như vậy làm tăng cường độ huỳnh quang.
